2번 일률 문제를 풀 때 시간을 중심으로 정리해서 푸는 것이 가능했습니다.
옳은 것과 틀린 것을 가려낼 때 최소한의 계산으로 빠르게 풀 수 있는 보기부터 푸는 것이 중요합니다.
비율의 차이를 물어보는 보기에서 단위가 %가 아닌 %p라고 나와야 옳은 보기가 되는 것을 주의해야 합니다.
두가지 다른 값에 대한 평균치를 구할 때에는 가중평균을 이용해서 직접적인 계산을 하지 않고 간단하게 해결할 수 있습니다.
반도체 8대 공정 : 공정흐름에 따른 MOSFET 제작과정 김동민 선생님 강의를 들었습니다.
1단계는 Wafer제조로 생산성이 좋은 쵸크랄스키 방법과 품질이 좋은 플로팅 존 방법이 있습니다.
2단계는 Oxidation으로 산화막을 형성하는 과정입니다. O2를 사용하는 Dry Oxidation은 품질이 좋고, H2O를 사용하는 Wet Oxidation은 속도가 빠릅니다.
3단계는 포토리소그래피입니다. 포토레지스트의 Wafer와의 접착성, 화학적 열적 안정성, 제거의 용이성이 중요합니다.
4단계는 에칭입니다. 포토레지스트와 같은 불필요한 부분을 제거하는 공정입니다. Dry etch는 기체나 플라즈마를 이용하고 Wet etch는 화학적 반응을 이용해 빠릅니다. 하지만 원하지 않는 방향으로 반응이 일어나 Wet etch는 미세공정에 적합하지 않습니다.
추가 공정으로 CMP가 있습니다. 공정 간에 Wafer 표면의 박막을 평탄화 하는 공정입나다.
5단계는 디포지션과 이온 주입입니다. 디포지션은 두께가 얇은 막을 형성하는 과정입니다. 이온 주입은 원하는 양만큼 원하는 위치에 주입하는 공정으로 wafer 표면이 손상될 수 있습니다.
6단계는 Metallization으로 전기가 흐를 수 있도록 Gate와 Soure, Drain에 전기배선을 하는 작업입니다.
7단계는 EDS로 Wafer와 MOSFET 각각이 양품인지 검사하는 단계입니다.
8단계는 패키징으로 각각 완성된 반도체 소자들을 포장하는 과정입니다.
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