1~2번 문제는 밴다이어그램을 통해 쉽게 접근할 수 있었습니다.
3번 문제에서는 어떤 A->B인 명제는 어떤 B->A로 바뀔 수 있다는 것을 적용할 수 있었습니다.
4~10번은 주어진 조건들을 그림이나 표로 경우의 수들을 정리한 다음에 보기를 접근하는 것이 좋겠습니다.
Etching 공정 세부 내용 / Plasma 김동민선생님 강의를 들었습니다.
Etching 공정은 필요없는 부분을 제거하는 공정입니다.
주요인자는 1. Etch rate(식각률, 속도) 2. Selectivity(선택비) 3. Anisotropy(방향성)이 있었습니다.
방식에 따라 Wet etching과 Dry Etching으로 나뉘며, Wet Etching은 화학반응을 이용하여 isotropy인 단점이 있습니다.
Dry Etching은 물리적 방식인 Sputtering, 화학적 방식인 Plasma etching, 두 가지를 합한 RIE가 있으며, RIE를 통해 Anisotropic Etching이 가능하고, 공정 미세화가 가능해집니다.
Plasma는 기체 상태의 분자나 워자가 이온화되어 양이온과 전자가 혼재되어 있어서 부분적으로 극성을 띄는 상태를 말합니다.
파셴곡선에 의하면 pd에 따라 플라즈마가 발생하기 위한 최소전압이 있다는 것을 알 수 있습니다.
플라즈마는 DC방식과 AC방식이 있으며, AC방식이 DC보다 낮은 압력에서 플라즈마 유지가 가능하고 이온화 효율이 높습니다
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