1) 실전 모의고사
- 추론, 도형, 기호, 지문문제 문제풀이
- 경우의 수를 나눠서 푸는 습관 들이기
- 도형문제 시간 단축 skill : 간단한 것부터 차근차근 풀것, 알파벳 A~Z까지 쓰고 문제풀이
- 배운 skill을 연습하는 것이 중요!
2) MOSFET
- MOSFET 기본적인 구조 및 동작원리와 이상적인 에너지 밴드상태에 대해 배움
- MOSFET의 Degradation 원인 : Trap & TDDB(Time Dependent dielectric Breakdown)
- Trap에서의 Key word : 1. defect 2. oxide 품질
- TDDB에서의 Key word : tunneling
- short channel effect의 원인과 해결방안 -> 같은 질문
1. 공정 미세화 2. Vth roll off(감소) -> 해결방안1 5가지 (gate metal, gate oxide oxidationprogress, doping concentration, Oxide Thickneess, Oxide meterial) & 해결방안 body effect(sourc와 body사이 전압 인가 Vth 조절)
- Hot carrier effect
짧아진 Depletion region에 의해 E-field 강화 -> 해결방안 LDD
-DIBL(Vd에 의해 sourece-channel 사이의 potential barrier가 낮아지는 현상)
-punch -through (source의 Drain 영역의 Depletion region이 마주치는 현상)
위 둘의 해결방안 Halo doping
-HKMG, FinFET, MOSCAP의 특징
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