1) ½ÇÀü¸ðÀÇ°í»ç (¼ö¸®³í¸®)
- ¸ðÀÇ°í»ç¸¦ ÅëÇØ ÀÚ½ÅÀÇ °ÇÑ ºÐ¾ß¿Í ¾àÇÑ ºÐ¾ß¸¦ ºÐ¼®Çϱâ -> ½Ã°£ ¹èºÐ¿¡ µµ¿òÀÌ µÈ´Ù.
- ÀÏ·ü ¹®Á¦´Â ½Ã°£¿¡ °üÇؼ ½ÄÀ» ¸ÕÀú ¸¸µé±â (´ÜÀ§½Ã°£´ç ÇÑ ÀÏ) = °¹¼ö/00½Ã°£
- ÀÚ·áÇؼ®¹®Á¦¿¡¼´Â º¸±â¿¡¼ °£´ÜÇÑ °è»ê ¸ÕÀú Çϱâ! -> ½Ã°£ Àý¾à
- ºñÀ² °è»ê¹®Á¦´Â ºÐ¸ð¸¦ ÀÌ¿ëÇϱâ
- °¡Áß Æò±Õ ¹®Á¦´Â ½Ã¼Ò¸¦ ±×·Á¼ Ç®±â
2) ¹ÝµµÃ¼ 8´ë°øÁ¤ (MOSFET Á¦ÀÛ°úÁ¤)
- Wafer Á¦Á¶ : Single crystal Si ¿øÆÇ Á¦Á¶
2°¡Áö ¹æ¹ý : Czochralski, Floating zone
- Oxidation : »êȸ·À» Çü¼ºÇÏ´Â °øÁ¤
2°¡Áö ¹æ¹ý : Dry(»ê¼Ò°¡½º) & Wet(¼öÁõ±â) °¡½ºÂ÷ÀÌ & ¼ÓµµÂ÷ÀÌ(WetÀÌ ºü¸£´Ù but Ç°ÁúÀº Dry°¡ ÁÁ´Ù)
¼Óµµ Â÷ÀÌ°¡ ³ª´Â ÀÌÀ¯ : Difusion Â÷ÀÌ
- photolithography
photo resistÀÇ ¿ä¼Ò : wafer¿Í Á¢Âø¼º, ÈÇÐÁ¤ & ¿Àû ¾ÈÁ¤¼º, Á¦°ÅÀÇ ¿ëÀǼº
key word : DoF ¿Í res
- Etching : ºÒÇÊ¿äÇÑ ºÎºÐ Á¦°ÅÇÏ´Â °øÁ¤
DRY(ÇöóÁ&°¡½º) & Wet(ÈÇÐ ¿ë¾×)
Wet ÀåÁ¡ : ºü¸£°í selective(Á¦°ÅÇÏ°íÀÚ ÇÏ´Â ºÎºÐ)
´ÜÁ¡ : ¿øÄ¡ ¾Ê´Â ºÎºÐ±îÁö Á¦°Å -> ȸ·Î¹Ì¼¼È¿¡´Â ºÎÀûÇÕÇÏ´Ù.
Ȩ°£ °Å¸®°¡ 3um¹Ì¸¸ÀÎ °æ¿ì Ç¥¸éÀå·Â¿¡ ÀÇÇØ ¿ë¾×ÀÌ Ä§Åõ°¡ ºÒ°¡´ÉÇÏ´Ù.
¿äÁò¿¡´Â Dry¸¦ ´ëºÎºÐ ¾´´Ù.
- CMP : Wafer Ç¥¸éÀÇ »êȸ·, ±Ý¼Ó¸· µîÀÇ ¹Ú¸·À» ÆòźÈÇÏ´Â °øÁ¤
-> photo resist Á¦°Å C(chemical)ÀûÀ̰ųª M(mechanical)ÀûÀÎ ¹æ¹ýÀ¸·Î P(polishing)ÇÑ´Ù.
- Thin film deposition & Ion implantation
Thin film deposition : µÎ²²°¡ um ´ÜÀ§ ÀÌÇÏÀÎ ¾ãÀº ¸·À» Çü¼ºÇÏ´Â °øÁ¤
Ion implantation : ºÒ¼ø¹°À» ¿øÇÏ´Â ¾ç¸¸Å ¿øÇÏ´Â À§Ä¡¿¡ ÁÖÀÔÇÏ´Â °øÁ¤ (difusion °ú ion implantation Â÷ÀÌ ÀÎÁö,
Àå´ÜÁ¡ ÀÎÁö)
CVD & PVD Â÷ÀÌ, CVD Á¾·ù(LP, PE, AP....)
- Metallizaion : Àü±â°¡ È带 ¼ö ÀÖµµ·Ï Àü±â ¹è¼±À» ÇÏ´Â °úÁ¤
-EDS(test) : wafer level¿¡¼ °Ë»ç
key word : yield (¼öÀ², ¾çÇ°À²)
-packaging : ¿Ï¼ºµÈ ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ¸¦ Æ÷ÀåÇÏ´Â °øÁ¤