¿­±â Æйи®»çÀÌÆ®

[6ÀÏÂ÷] ¾ç¸®¶ó ¼±»ý´Ô°ú ÇÔ²²ÇÏ´Â ÇØÄ¿½º Gsat Áغñ¿Í ±èµ¿¹Î ±³¼ö´Ô°ú ÇÔ²² ÇÏ´Â ¹ÝµµÃ¼ 8´ë°øÁ¤ ÀÌÇØÇϱâ

| Á¶È¸ 4002 |



1) ½ÇÀü¸ðÀÇ°í»ç (¼ö¸®³í¸®)

- ¸ðÀÇ°í»ç¸¦ ÅëÇØ ÀÚ½ÅÀÇ °­ÇÑ ºÐ¾ß¿Í ¾àÇÑ ºÐ¾ß¸¦ ºÐ¼®Çϱâ -> ½Ã°£ ¹èºÐ¿¡ µµ¿òÀÌ µÈ´Ù.

- ÀÏ·ü ¹®Á¦´Â ½Ã°£¿¡ °üÇؼ­ ½ÄÀ» ¸ÕÀú ¸¸µé±â (´ÜÀ§½Ã°£´ç ÇÑ ÀÏ) = °¹¼ö/00½Ã°£

- ÀÚ·áÇؼ®¹®Á¦¿¡¼­´Â º¸±â¿¡¼­ °£´ÜÇÑ °è»ê ¸ÕÀú Çϱâ! -> ½Ã°£ Àý¾à

- ºñÀ² °è»ê¹®Á¦´Â ºÐ¸ð¸¦ ÀÌ¿ëÇϱâ

- °¡Áß Æò±Õ ¹®Á¦´Â ½Ã¼Ò¸¦ ±×·Á¼­ Ç®±â







2) ¹ÝµµÃ¼ 8´ë°øÁ¤ (MOSFET Á¦ÀÛ°úÁ¤)

- Wafer Á¦Á¶ : Single crystal Si ¿øÆÇ Á¦Á¶

    2°¡Áö ¹æ¹ý : Czochralski, Floating zone

- Oxidation : »êÈ­¸·À» Çü¼ºÇÏ´Â °øÁ¤

    2°¡Áö ¹æ¹ý : Dry(»ê¼Ò°¡½º) & Wet(¼öÁõ±â) °¡½ºÂ÷ÀÌ & ¼ÓµµÂ÷ÀÌ(WetÀÌ ºü¸£´Ù but Ç°ÁúÀº Dry°¡ ÁÁ´Ù)

    ¼Óµµ Â÷ÀÌ°¡ ³ª´Â ÀÌÀ¯ : Difusion Â÷ÀÌ

- photolithography

   photo resistÀÇ ¿ä¼Ò : wafer¿Í Á¢Âø¼º, È­ÇÐÁ¤ & ¿­Àû ¾ÈÁ¤¼º, Á¦°ÅÀÇ ¿ëÀǼº

  key word :  DoF ¿Í res

- Etching : ºÒÇÊ¿äÇÑ ºÎºÐ Á¦°ÅÇÏ´Â °øÁ¤

DRY(ÇöóÁ&°¡½º) & Wet(È­ÇÐ ¿ë¾×)

Wet ÀåÁ¡ : ºü¸£°í selective(Á¦°ÅÇÏ°íÀÚ ÇÏ´Â ºÎºÐ)

       ´ÜÁ¡ : ¿øÄ¡ ¾Ê´Â ºÎºÐ±îÁö Á¦°Å -> ȸ·Î¹Ì¼¼È­¿¡´Â ºÎÀûÇÕÇÏ´Ù.

               Ȩ°£ °Å¸®°¡ 3um¹Ì¸¸ÀÎ °æ¿ì Ç¥¸éÀå·Â¿¡ ÀÇÇØ ¿ë¾×ÀÌ Ä§Åõ°¡ ºÒ°¡´ÉÇÏ´Ù.

¿äÁò¿¡´Â Dry¸¦ ´ëºÎºÐ ¾´´Ù.

- CMP : Wafer Ç¥¸éÀÇ »êÈ­¸·, ±Ý¼Ó¸· µîÀÇ ¹Ú¸·À» ÆòźȭÇÏ´Â °øÁ¤

   -> photo resist Á¦°Å C(chemical)ÀûÀ̰ųª M(mechanical)ÀûÀÎ ¹æ¹ýÀ¸·Î P(polishing)ÇÑ´Ù.

- Thin film deposition & Ion implantation

    Thin film deposition  : µÎ²²°¡ um ´ÜÀ§ ÀÌÇÏÀÎ ¾ãÀº ¸·À» Çü¼ºÇÏ´Â °øÁ¤

    Ion implantation : ºÒ¼ø¹°À» ¿øÇÏ´Â ¾ç¸¸Å­ ¿øÇÏ´Â À§Ä¡¿¡ ÁÖÀÔÇÏ´Â °øÁ¤ (difusion °ú ion implantation Â÷ÀÌ ÀÎÁö,

                            Àå´ÜÁ¡ ÀÎÁö)

CVD & PVD Â÷ÀÌ, CVD Á¾·ù(LP, PE, AP....)

- Metallizaion : Àü±â°¡ È带 ¼ö ÀÖµµ·Ï Àü±â ¹è¼±À» ÇÏ´Â °úÁ¤

-EDS(test) : wafer level¿¡¼­ °Ë»ç

key word : yield (¼öÀ², ¾çÇ°À²)

-packaging : ¿Ï¼ºµÈ ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ¸¦ Æ÷ÀåÇÏ´Â °øÁ¤


ÇØ´ç °Ô½Ã±ÛÀÇ ÀúÀÛ±ÇÀº ÀÛ¼ºÀÚ¿Í ÇØÄ¿½º°ø±â¾÷ »çÀÌÆ®¿¡ ÀÖÀ¸¸ç, ÇØÄ¿½º°ø±â¾÷¿¡¼­ Á¦ÀÛÇÏ´Â ÀÚ·á µî¿¡ È°¿ë µÉ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù. ¹«´Ü µµ¿ë ¹× ÆÛ°¡±â¸¦ ±ÝÁöÇÕ´Ï´Ù.
±Û¾²±â
¼ö°­Èıâ
¼±»ý´Ô Á¦¸ñ °­ÀǸ¸Á·µµ Á¶È¸¼ö
[ÀÎÀû¼º] [2ÁÖÂ÷ 5ÀÏÂ÷] ÇØÄ¿½ºÀâ GSAT ÇϾçÀÌ¿Í ¹ÝµµÃ¼ Àΰ­À¸·Î »ïÀü Ãë»ÇÇÏÀÚ º°Á¡ 3078
[ÀÎÀû¼º] [2ÁÖÂ÷ 4ÀÏÂ÷] ÇØÄ¿½ºÀâ GSAT ÇϾçÀÌ¿Í ¹ÝµµÃ¼ Àΰ­À¸·Î »ïÀü Ãë»ÇÇÏÀÚ º°Á¡ 2992
[ÀÎÀû¼º] [2ÁÖÂ÷ 3ÀÏÂ÷] ÇØÄ¿½ºÀâ GSAT ÇϾçÀÌ¿Í ¹ÝµµÃ¼ Àΰ­À¸·Î »ïÀü Ãë»ÇÇÏÀÚ º°Á¡ 2831
[ÀÎÀû¼º] [2ÁÖÂ÷ 2ÀÏÂ÷] ÇØÄ¿½ºÀâ GSAT ÇϾçÀÌ¿Í ¹ÝµµÃ¼ Àΰ­À¸·Î »ïÀü Ãë»ÇÇÏÀÚ º°Á¡ 3581
[ÀÎÀû¼º] [2ÁÖÂ÷ 1ÀÏÂ÷] ÇØÄ¿½ºÀâ GSAT ÇϾçÀÌ¿Í ¹ÝµµÃ¼ Àΰ­À¸·Î »ïÀü Ãë»ÇÇÏÀÚ º°Á¡ 3257
[ÀÎÀû¼º] [5ÀÏÂ÷] ÇØÄ¿½ºÀâ GSAT ÇϾçÀÌ¿Í ¹ÝµµÃ¼ Àΰ­À¸·Î »ïÀü Ãë»ÇÇÏÀÚ º°Á¡ 2908
[ÀÎÀû¼º] [4ÀÏÂ÷] ÇØÄ¿½ºÀâ GSAT ÇϾçÀÌ¿Í ¹ÝµµÃ¼ Àΰ­À¸·Î »ïÀü Ãë»ÇÇÏÀÚ º°Á¡ 3371
[ÀÎÀû¼º] [3ÀÏÂ÷] ÇØÄ¿½ºÀâ GSAT ÇϾçÀÌ¿Í ¹ÝµµÃ¼ Àΰ­À¸·Î »ïÀü ÃëÁØ º°Á¡ 3453
[ÀÎÀû¼º] [2ÀÏÂ÷] ÇØÄ¿½ºÀâ GSAT ÇϾçÀÌ, ¹ÝµµÃ¼ Àΰ­°ú ÇÔ²² »ïÀü ÃëÁØ º°Á¡ 2903
[ÀÎÀû¼º] [1ÀÏÂ÷] ÇØÄ¿½ºÀâ GSAT, ¹ÝµµÃ¼ ÇϾçÀÌ¿Í Àΰ­ µ¶ÇÐÀ¸·Î »ïÀü ÃëÁØ º°Á¡ 3063
[ÀÎÀû¼º] [10ÀÏÂ÷] º¹ÁöÈÆ ¼±»ý´Ô°ú ÇÔ²²ÇÏ´Â ÇØÄ¿½º Gsat Áغñ¿Í ±èµ¿¹Î ±³¼ö´Ô°ú ÇÔ²² ÇÏ´Â memory ¹ÝµµÃ¼ ÀÌÇØÇϱ⠺°Á¡ 2614
[ÀÎÀû¼º] [9ÀÏÂ÷] º¹ÁöÈÆ ¼±»ý´Ô°ú ÇÔ²²ÇÏ´Â ÇØÄ¿½º Gsat Áغñ¿Í ±èµ¿¹Î ±³¼ö´Ô°ú ÇÔ²² ÇÏ´Â Etching & Plasma ÀÌÇØÇϱ⠺°Á¡ 2830
[ÀÎÀû¼º] [8ÀÏÂ÷] ¾ç¸®¶ó ¼±»ý´Ô°ú ÇÔ²²ÇÏ´Â ÇØÄ¿½º Gsat Áغñ¿Í ±èµ¿¹Î ±³¼ö´Ô°ú ÇÔ²² ÇÏ´Â Deposition °øÁ¤ ¾Ë¾Æº¸±â º°Á¡ 2938
[ÀÎÀû¼º] [7ÀÏÂ÷] ¾ç¸®¶ó ¼±»ý´Ô°ú ÇÔ²²ÇÏ´Â ÇØÄ¿½º Gsat Áغñ¿Í ±èµ¿¹Î ±³¼ö´Ô°ú ÇÔ²² ÇÏ´Â Photolithography °øÁ¤ ¾Ë¾Æº¸±â º°Á¡ 3055
[ÀÎÀû¼º] [6ÀÏÂ÷] ¾ç¸®¶ó ¼±»ý´Ô°ú ÇÔ²²ÇÏ´Â ÇØÄ¿½º Gsat Áغñ¿Í ±èµ¿¹Î ±³¼ö´Ô°ú ÇÔ²² ÇÏ´Â ¹ÝµµÃ¼ 8´ë°øÁ¤ ÀÌÇØÇϱâ ÷ºÎÆÄÀÏ º°Á¡ 4003
[ÀÎÀû¼º] [5ÀÏÂ÷] º¹ÁöÈÆ ¼±»ý´Ô°ú ÇÔ²²ÇÏ´Â ÇØÄ¿½º Gsat Áغñ¿Í ±èµ¿¹Î ±³¼ö´Ô°ú ÇÔ²² ÇÏ´Â ¹ÝµµÃ¼ ±â¾÷ ¸éÁ¢Áغñ ÷ºÎÆÄÀÏ º°Á¡ 3431
[NCS] [°ø±â¾÷ ä¿ëÁغñ] NCS ºÀÅõ¸ðÀÇ°í»ç ±³Àç PSATÇü/Àΰ­ Èıâ(¸ðµâÇü/ÇǵâÇü/PSATÇü) ÷ºÎÆÄÀÏ º°Á¡ 4688
[NCS] ÇØÄ¿½º¿Í ÇÔ²²ÇÏ´Â NCS ¿ÏÀüÁ¤º¹ 3ÁÖÂ÷ (°ø±â¾÷ä¿ë/NCSÀΰ­/NCS ±³Àç) ÷ºÎÆÄÀÏ º°Á¡ 4892
[NCS] °ø±â¾÷ä¿ë ´ëºñ! NCS ºÀÅõ¸ðÀÇ°í»ç Èıâ(NCS ±³Àç/Àΰ­/¸ðµâÇü/PSATÇü) º°Á¡ 3841
[NCS] [°ø±â¾÷ä¿ë NCS] ³» Àλý ù NCS ºÀÅõ¸ðÀÇ°í»ç ¹× NCS Àΰ­, ±³Àç Ãßõ ! EP 03(NCS ÇǵâÇü) º°Á¡ 4362