1) 실전모의고사 2회 - 수리
- %문제를 구할때 단순계산 보다 분모를 100으로 만들어서 비율 증가 하는 방법으로 하면 시간 단축 가능
- 보기가 여러개인 경우 간단한 것부터 하기(ex 증감추이)
- XX배인가? 라는 참, 거짓 판별이 필요한 경우 계산을 넘기고 소거법으로 하여 시간 조절에 신경쓰기
2)Photolithography 공정
- PR coating
인자 : wafer와 접착성, Etching 저항성, 적당한 점도 현상능력, 열적 안정성, 제거 용이성
HMDS증기에 노출 : photoresist 와 wafer의 접작력 향상
PR을 spin coating을 통해 도포
- Soft baking
PR에 포함된 Solvent 제거
Wafer와의 접착성 향상
spin coating 공정중 원심력에 의해 형성된 stress 제거
낮은온도(90~100도) 에서 5~30분 동안 열처리
- Photo Mask align
목적 : 2D 패턴에 중첩하여 정상적인 3D패턴을 만들기 위한 과정
중요한 점 : 정확히 align할 것
- Exposure(노광)
종류 : 근접(contact&proximity) 과 투영방식
contact와 proximity 장단점
현장서 쓰는 방법은 투영 방식
광원의 주요 인자 : DOF(초점심도:Depth of Focus), Res
DOF : 초점을 유지한 채로 움직일수 있는 범위(크면 클수록 좋다)
Res : 구별 해 낼 수 있는 가장 미세한 차이(작을수록 좋다)
회로 미세화 기술 : RET - DI water 이용(액체 굴절률 이용)
공정 factor 향상 방법 숙지 : OAI, OPC, PSM
- PE baking(노광후 베이킹)
목적 : PR 표면 평탄화 -> Exposure 도중에 생긴 표면 단차 제거
방법 : soft baking 보다 높은 온도 110~120도에서 열처리
- Developing(현상)
현상액을 뿌려 Exposure 된 부분과 아닌 부분을 선택적으로 제거하는 과정
- Hard baking
목적 : Etcing resistance 및 wafer 접착성 증가 -> 현상액, 린스액, 세정액 제거
방법 : 120~180도 20분에서 30분 동안 열처리
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