1)실전모의고사
- 힝싱 보기가 여러개인 문제는 간단한 계산 먼저 할것
- 11 x ab 관련 빠르게 계산하는 방법 연습하기
- 일의 자리 계산만으로 빠르게 보기에서 정답 찾기
- skill을 숙달하여 시간 관리하는 법 연습하기
2) Deposition 공정
정의 : 반도체 제조 공정에서 두께가 um 단위 이하인 얇은 막을 형성하는 과정
요구 조건 : 원하는 특성의 Thin film 형성 (화학적, 전기적, 기계적)
Within wafer, Wafer to wafer, Lot to lot 균일성
Gap filling property, step converage, conformal
mean free path 와 Step coverage 관계 -> 저진공, 중진공, 고진공 산태에 따른 steo coverage 특성 이해
-Deposition 공정의 분류
1. PVD 장점 : 단순한 공정, 다양한 물질 이용 가능
단점 : 낮은 Step coverage
TE(thermal evaporation)
Sputtering
2. CVD
과정 : 반응성 기체 -> wafer 표면 흡착 -> (열, Plasma) -> Chemical reaction -> Thin film 증착
장점 : 좋은 step coverage
단점 : 많은 변수 -> 복잡한 장치, 유해 gas 사용, 증착 가능 물질이 제한적
종류 : APCVD(Atmospheric pressure) & LPCVD(Low pressure) (기준은 공정 압력 차이)
PECVD(Plasma Enhanced CVD) - 반응성이 높은 Plasma를 이용 -> 낮은 온도에서 reaction 속도 증가
묶어서 설명 할 것
----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
HDP(High Density plasma CVD) PECVD에 비해 높은 plasma 밀도, Deposition + Sputtering을 동시에 진행
장점 : PECVD 보다 낮은 온도, 매우 높은 Quality, void 발생X, 좋은 step coverage
단점 : 느린 속도
ALD(Atomic Layer Deposition) 원자층 1층씩 형성
장점 : 매우 정교, 얇은 박막, 높은 Quality, 100% step coverage
단점 : 매우 느린 속도, 제한적인 precursors
온도와의 관계 : 기본적으로 저온 공정 but 적정 온도 유지 필요
고온일 때 precursors의 열분해 or 탈착현상, 저온일 때 precursors의 응결 및 낮은 반응성
해당 게시글의 저작권은 작성자와 해커스공기업 사이트에 있으며, 해커스공기업에서 제작하는 자료 등에 활용 될 수 있습니다. 무단 도용 및 퍼가기를 금지합니다.
