1) ½ÇÀü¸ðÀÇ°í»ç 2ȸ Ã߸®
- ¸íÁ¦ Ãß·Ð ¹®Á¦´Â ¹ê´ÙÀ̾î±×·¥ or °ø½Ä »ç¿ëÇϱâ
- °ø½ÄÀ» »ç¿ëÇÒ ¶§ ¼¼°¡Áö Á¶°ÇÀ» µµÇüÀ¸·Î Ç¥ÇöÇÏ¿© º¸±â¿¡¼ ÀüÁ¦ ã±â
- Ã߷й®Á¦¿¡¼ ¼Ò¼ÓÀº µµÇüÀ¸·Î Ç¥ÇöÇϸé ÆíÇÏ´Ù
2) Etching & Plasma °øÁ¤
- Etching : ºÒÇÊ¿äÇÑ °ÍÀ» Á¦°ÅÇÏ´Â °øÁ¤
ÁÖ¿ä ÀÎÀÚ : ½Ä°¢·ü(Etch rate), ¼±Åúñ(Selelctivity), ±ÕÀϵµ(Uniformity)
Anisotropy = 1-(¼öÆò etching¼Óµµ/¼öÁ÷Etching ¼Óµµ)
0(Ư¼ºÀÌ ³ª»Ý)< Anisotropy(EtchingÀÇ ¹æÇ⼺) <1(Ư¼ºÀÌ ÁÁÀ½)
¹Ýµå½Ã ¾ð±ÞÇÒ °Í => ¼Óµµ, ¹æÇ⼺, ¼±Åúñ
Wet Etching°ú Dry EtchingÀ» Ç¥·Î ±×·Á¼ ¼³¸í! -> Ç¥ ÀÌÇØ ¹× ¿Ü¿ì±â
wet etching ÀåÁ¡ : ºñ¿ë ³·°í ¼Óµµ°¡ ºü¸£´Ù, ¼±Åúñ°¡ ³ô´Ù / ´ÜÁ¡ : isotoropy
dry etching ÀåÁ¡ : anisotropy / ´ÜÁ¡ : ºñ¿ë ³ô°í ¼Óµµ°¡ ´À¸®´Ù, ¼±Åúñ°¡ ³·´Ù
Á¾·ù : Sputtering , Plasma etching, RIE(Reactive Ion Etching)
- Plasma : Á¦ 4ÀÇ ¹°Áú / ÀÏÁ¾ÀÇ ±âü »óÅÂ, À̿°ú ÀüÀÚ¿¡ ÀÇÇØ ÀüµµÃ¼ ¼ºÁúÀ» °¡Áø´Ù
±âü»óÅÂÀÇ ºÐÀÚ³ª ¿øÀÚ°¡ ÀÌ¿ÂÈ µÇ¾î ¾çÀ̿°ú ÀüÀÚ°¡ È¥ÀçµÇ¾î ÀÖ¾î ºÎºÐÀûÀ¸·Î ±Ø¼ºÀ» ¶çÁö¸¸ ÀüüÀû
À¸·Î´Â Áß¼º»óÅÂ
¹ß»ý Mechanism
Glow discharged plasma(±Û·Î¿ì ¹æÀü ÇöóÁ)
¾ó¿¡³ÊÁö°¡ ¾Æ´Ñ Àü¾ÐÀ» °¡Çؼ ÇöóÁ ¹ß»ý
-> Àü±Ø»çÀÌ¿¡¼ ÀϾ´Â 4°¡Áö Ãæµ¹ : ÀÌ¿ÂÈ Ãæµ¹(¾ËÆÄ process), Excitiation(Glow°¡ ºû³ª´Â ÀÌÀ¯), ź¼ºÃæµ¹, Àü
ÇÏ ÀüÀÌ
paschen's °î¼± ÀÌÇØ : Plasmam ¹ß»ý Àü¾Ð°ú Àü±Ø °£°Ý, ±âü ¾Ð·Â »çÀÌÀÇ °ü°è
-> plasma¸¦ ¸¸µé±â À§ÇÑ ÃÖ¼ÒÀÇ Àü¾Ð Ư¼º ÀÌÇØ
- DC glow discharge : µÎÀü±Ø »çÀÌ¿¡ ±âü ÁÖÀÔ ÈÄ ³·Àº ¾Ð·Â¿¡¼ Á÷·ù Àü¾Ð ÀÌ¿ë
- AC discharge : Àü±Ø¿¡ ±³·ù Àü¾Ð Àΰ¡ -> ¹ÝÁÖ±â Àü¾Ð > ¹æÀü°³½Ã Àü¾Ð -> Plasma ¹ß»ý
Ư¡ ¹× ÀåÁ¡ ÀÌÇØÇϱâ