¿­±â Æйи®»çÀÌÆ®

[9ÀÏÂ÷] º¹ÁöÈÆ ¼±»ý´Ô°ú ÇÔ²²ÇÏ´Â ÇØÄ¿½º Gsat Áغñ¿Í ±èµ¿¹Î ±³¼ö´Ô°ú ÇÔ²² ÇÏ´Â Etching & Plasma ÀÌÇØÇϱâ

| Á¶È¸ 2829 |






1) ½ÇÀü¸ðÀÇ°í»ç 2ȸ Ã߸®

- ¸íÁ¦ Ãß·Ð ¹®Á¦´Â ¹ê´ÙÀ̾î±×·¥ or °ø½Ä »ç¿ëÇϱâ

- °ø½ÄÀ» »ç¿ëÇÒ ¶§ ¼¼°¡Áö Á¶°ÇÀ» µµÇüÀ¸·Î Ç¥ÇöÇÏ¿© º¸±â¿¡¼­ ÀüÁ¦ ã±â

- Ã߷й®Á¦¿¡¼­ ¼Ò¼ÓÀº µµÇüÀ¸·Î Ç¥ÇöÇϸé ÆíÇÏ´Ù





2) Etching & Plasma °øÁ¤

- Etching : ºÒÇÊ¿äÇÑ °ÍÀ» Á¦°ÅÇÏ´Â °øÁ¤

  ÁÖ¿ä ÀÎÀÚ : ½Ä°¢·ü(Etch rate), ¼±Åúñ(Selelctivity), ±ÕÀϵµ(Uniformity)

       Anisotropy = 1-(¼öÆò etching¼Óµµ/¼öÁ÷Etching ¼Óµµ) 

       0(Ư¼ºÀÌ ³ª»Ý)< Anisotropy(EtchingÀÇ ¹æÇ⼺) <1(Ư¼ºÀÌ ÁÁÀ½)

   ¹Ýµå½Ã ¾ð±ÞÇÒ °Í => ¼Óµµ, ¹æÇ⼺, ¼±Åúñ

   Wet Etching°ú Dry EtchingÀ» Ç¥·Î ±×·Á¼­ ¼³¸í! -> Ç¥ ÀÌÇØ ¹× ¿Ü¿ì±â

  wet etching ÀåÁ¡ : ºñ¿ë ³·°í ¼Óµµ°¡ ºü¸£´Ù, ¼±Åúñ°¡ ³ô´Ù / ´ÜÁ¡ : isotoropy

  dry etching ÀåÁ¡ : anisotropy / ´ÜÁ¡ : ºñ¿ë ³ô°í ¼Óµµ°¡ ´À¸®´Ù, ¼±Åúñ°¡ ³·´Ù

   Á¾·ù : Sputtering , Plasma etching, RIE(Reactive Ion Etching)

- Plasma : Á¦ 4ÀÇ ¹°Áú / ÀÏÁ¾ÀÇ ±âü »óÅÂ, À̿°ú ÀüÀÚ¿¡ ÀÇÇØ ÀüµµÃ¼ ¼ºÁúÀ» °¡Áø´Ù

              ±âü»óÅÂÀÇ ºÐÀÚ³ª ¿øÀÚ°¡ ÀÌ¿ÂÈ­ µÇ¾î ¾çÀ̿°ú ÀüÀÚ°¡ È¥ÀçµÇ¾î ÀÖ¾î ºÎºÐÀûÀ¸·Î ±Ø¼ºÀ» ¶çÁö¸¸ ÀüüÀû

              À¸·Î´Â Áß¼º»óÅÂ

   ¹ß»ý Mechanism

       Glow discharged plasma(±Û·Î¿ì ¹æÀü ÇöóÁ)

         ¾ó¿¡³ÊÁö°¡ ¾Æ´Ñ Àü¾ÐÀ» °¡Çؼ­ ÇöóÁ ¹ß»ý

       -> Àü±Ø»çÀÌ¿¡¼­ ÀϾ´Â 4°¡Áö Ãæµ¹ : ÀÌ¿ÂÈ­ Ãæµ¹(¾ËÆÄ process), Excitiation(Glow°¡ ºû³ª´Â ÀÌÀ¯), ź¼ºÃæµ¹, Àü

                                                          ÇÏ ÀüÀÌ

  paschen's °î¼± ÀÌÇØ : Plasmam ¹ß»ý Àü¾Ð°ú Àü±Ø °£°Ý, ±âü ¾Ð·Â »çÀÌÀÇ °ü°è

        -> plasma¸¦ ¸¸µé±â À§ÇÑ ÃÖ¼ÒÀÇ Àü¾Ð Ư¼º ÀÌÇØ

  - DC glow discharge : µÎÀü±Ø »çÀÌ¿¡ ±âü ÁÖÀÔ ÈÄ ³·Àº ¾Ð·Â¿¡¼­ Á÷·ù Àü¾Ð ÀÌ¿ë

  - AC discharge : Àü±Ø¿¡ ±³·ù Àü¾Ð Àΰ¡ -> ¹ÝÁÖ±â Àü¾Ð > ¹æÀü°³½Ã Àü¾Ð -> Plasma ¹ß»ý

     Ư¡ ¹× ÀåÁ¡ ÀÌÇØÇϱâ


ÇØ´ç °Ô½Ã±ÛÀÇ ÀúÀÛ±ÇÀº ÀÛ¼ºÀÚ¿Í ÇØÄ¿½º°ø±â¾÷ »çÀÌÆ®¿¡ ÀÖÀ¸¸ç, ÇØÄ¿½º°ø±â¾÷¿¡¼­ Á¦ÀÛÇÏ´Â ÀÚ·á µî¿¡ È°¿ë µÉ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù. ¹«´Ü µµ¿ë ¹× ÆÛ°¡±â¸¦ ±ÝÁöÇÕ´Ï´Ù.
±Û¾²±â
¼ö°­Èıâ
¼±»ý´Ô Á¦¸ñ °­ÀǸ¸Á·µµ Á¶È¸¼ö
[ÀÎÀû¼º] [2ÁÖÂ÷ 5ÀÏÂ÷] ÇØÄ¿½ºÀâ GSAT ÇϾçÀÌ¿Í ¹ÝµµÃ¼ Àΰ­À¸·Î »ïÀü Ãë»ÇÇÏÀÚ º°Á¡ 3078
[ÀÎÀû¼º] [2ÁÖÂ÷ 4ÀÏÂ÷] ÇØÄ¿½ºÀâ GSAT ÇϾçÀÌ¿Í ¹ÝµµÃ¼ Àΰ­À¸·Î »ïÀü Ãë»ÇÇÏÀÚ º°Á¡ 2991
[ÀÎÀû¼º] [2ÁÖÂ÷ 3ÀÏÂ÷] ÇØÄ¿½ºÀâ GSAT ÇϾçÀÌ¿Í ¹ÝµµÃ¼ Àΰ­À¸·Î »ïÀü Ãë»ÇÇÏÀÚ º°Á¡ 2831
[ÀÎÀû¼º] [2ÁÖÂ÷ 2ÀÏÂ÷] ÇØÄ¿½ºÀâ GSAT ÇϾçÀÌ¿Í ¹ÝµµÃ¼ Àΰ­À¸·Î »ïÀü Ãë»ÇÇÏÀÚ º°Á¡ 3581
[ÀÎÀû¼º] [2ÁÖÂ÷ 1ÀÏÂ÷] ÇØÄ¿½ºÀâ GSAT ÇϾçÀÌ¿Í ¹ÝµµÃ¼ Àΰ­À¸·Î »ïÀü Ãë»ÇÇÏÀÚ º°Á¡ 3257
[ÀÎÀû¼º] [5ÀÏÂ÷] ÇØÄ¿½ºÀâ GSAT ÇϾçÀÌ¿Í ¹ÝµµÃ¼ Àΰ­À¸·Î »ïÀü Ãë»ÇÇÏÀÚ º°Á¡ 2907
[ÀÎÀû¼º] [4ÀÏÂ÷] ÇØÄ¿½ºÀâ GSAT ÇϾçÀÌ¿Í ¹ÝµµÃ¼ Àΰ­À¸·Î »ïÀü Ãë»ÇÇÏÀÚ º°Á¡ 3371
[ÀÎÀû¼º] [3ÀÏÂ÷] ÇØÄ¿½ºÀâ GSAT ÇϾçÀÌ¿Í ¹ÝµµÃ¼ Àΰ­À¸·Î »ïÀü ÃëÁØ º°Á¡ 3453
[ÀÎÀû¼º] [2ÀÏÂ÷] ÇØÄ¿½ºÀâ GSAT ÇϾçÀÌ, ¹ÝµµÃ¼ Àΰ­°ú ÇÔ²² »ïÀü ÃëÁØ º°Á¡ 2902
[ÀÎÀû¼º] [1ÀÏÂ÷] ÇØÄ¿½ºÀâ GSAT, ¹ÝµµÃ¼ ÇϾçÀÌ¿Í Àΰ­ µ¶ÇÐÀ¸·Î »ïÀü ÃëÁØ º°Á¡ 3062
[ÀÎÀû¼º] [10ÀÏÂ÷] º¹ÁöÈÆ ¼±»ý´Ô°ú ÇÔ²²ÇÏ´Â ÇØÄ¿½º Gsat Áغñ¿Í ±èµ¿¹Î ±³¼ö´Ô°ú ÇÔ²² ÇÏ´Â memory ¹ÝµµÃ¼ ÀÌÇØÇϱ⠺°Á¡ 2614
[ÀÎÀû¼º] [9ÀÏÂ÷] º¹ÁöÈÆ ¼±»ý´Ô°ú ÇÔ²²ÇÏ´Â ÇØÄ¿½º Gsat Áغñ¿Í ±èµ¿¹Î ±³¼ö´Ô°ú ÇÔ²² ÇÏ´Â Etching & Plasma ÀÌÇØÇϱ⠺°Á¡ 2830
[ÀÎÀû¼º] [8ÀÏÂ÷] ¾ç¸®¶ó ¼±»ý´Ô°ú ÇÔ²²ÇÏ´Â ÇØÄ¿½º Gsat Áغñ¿Í ±èµ¿¹Î ±³¼ö´Ô°ú ÇÔ²² ÇÏ´Â Deposition °øÁ¤ ¾Ë¾Æº¸±â º°Á¡ 2938
[ÀÎÀû¼º] [7ÀÏÂ÷] ¾ç¸®¶ó ¼±»ý´Ô°ú ÇÔ²²ÇÏ´Â ÇØÄ¿½º Gsat Áغñ¿Í ±èµ¿¹Î ±³¼ö´Ô°ú ÇÔ²² ÇÏ´Â Photolithography °øÁ¤ ¾Ë¾Æº¸±â º°Á¡ 3055
[ÀÎÀû¼º] [6ÀÏÂ÷] ¾ç¸®¶ó ¼±»ý´Ô°ú ÇÔ²²ÇÏ´Â ÇØÄ¿½º Gsat Áغñ¿Í ±èµ¿¹Î ±³¼ö´Ô°ú ÇÔ²² ÇÏ´Â ¹ÝµµÃ¼ 8´ë°øÁ¤ ÀÌÇØÇϱâ ÷ºÎÆÄÀÏ º°Á¡ 4002
[ÀÎÀû¼º] [5ÀÏÂ÷] º¹ÁöÈÆ ¼±»ý´Ô°ú ÇÔ²²ÇÏ´Â ÇØÄ¿½º Gsat Áغñ¿Í ±èµ¿¹Î ±³¼ö´Ô°ú ÇÔ²² ÇÏ´Â ¹ÝµµÃ¼ ±â¾÷ ¸éÁ¢Áغñ ÷ºÎÆÄÀÏ º°Á¡ 3430
[NCS] [°ø±â¾÷ ä¿ëÁغñ] NCS ºÀÅõ¸ðÀÇ°í»ç ±³Àç PSATÇü/Àΰ­ Èıâ(¸ðµâÇü/ÇǵâÇü/PSATÇü) ÷ºÎÆÄÀÏ º°Á¡ 4687
[NCS] ÇØÄ¿½º¿Í ÇÔ²²ÇÏ´Â NCS ¿ÏÀüÁ¤º¹ 3ÁÖÂ÷ (°ø±â¾÷ä¿ë/NCSÀΰ­/NCS ±³Àç) ÷ºÎÆÄÀÏ º°Á¡ 4891
[NCS] °ø±â¾÷ä¿ë ´ëºñ! NCS ºÀÅõ¸ðÀÇ°í»ç Èıâ(NCS ±³Àç/Àΰ­/¸ðµâÇü/PSATÇü) º°Á¡ 3841
[NCS] [°ø±â¾÷ä¿ë NCS] ³» Àλý ù NCS ºÀÅõ¸ðÀÇ°í»ç ¹× NCS Àΰ­, ±³Àç Ãßõ ! EP 03(NCS ÇǵâÇü) º°Á¡ 4361