1)실전모의고사
- 참&거짓 문제에서는 보기에서 모순 관계인것부터 확인하여 경우의 수를 만들기
- 시간 배분에 아직 어려움을 느낌 -> 인강에서 배운 SKILL을 연습하여 적극적으로 시간 배분에 의식하기
2) Memory 반도체
- Flash memory
Floating gate -> Charge trap layer로 발전
Tunneling Oxide : 전자들이 Tunneling 할수 있는 Oxide(매우 얇다.)
Floating gate, Charge trap layer -> 전자들을 저장하는 창고 같은 역할 but material과 특징이 다름
Nand flash memory의 구동 원리
write, read, erase를 설명할수 있어야 한다.
write 구동
control gate에 +로 강하게 바이어스를 걸면 floating 및 charge trap 층에 전자들이 터널링 하면서 갇히게 되고 이후
바이어스가 사라지면 channel이 사라져도 floating 및 charge trap 층에는 전자들이 남아있게 된다.
erase 구동
control gate에 -로 강하게 바이어스를 걸면 floating 및 charge trap 층에 전자들이 반대로 터널링되면서 나가게된다.
read 구종
각 MOSFET 소자의 threshold voltage(Vth)를 확인
NAND flash memory의 발전
1. floating gate -> Charge trap layer
2. SLC->MLC->TLC->QLC
장점 : 집적도 증가
단점 : 신뢰성 감소(DATA 신호 폭 감소), 수명 감소(필요 전압 증가에 따른 절연 파괴(Wear leveling technique로 대
응)
3. 3D NAND
수직으로 쌓는 방식
장점 : 집적도 증가 -> 가격 경쟁력 향상
단점 : 공정 복잡도 증가 -> 수율이 낮아질수 있다.(양품률 하락가능성)
- RAM
DRAM의 구동방식
sense amplifier : DRAM에서 저장된 메모리를 계속해서 refresh해 주는 역할 (구동원리 이해하기)
차세대 RAM : PRAM, STT-MRAM, RRAM
PRAM(상변화), STT-MRAM(자기장변화-전자스핀이용), RRAM(저항-Ceramic 같은 부도체의 defect 이용)
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