1. [GSAT] 수리논리 실전모의고사 1회(1)
- 복잡한 계산은 식 변형(쪼개기)해서 풀어보자
- 구해야하는 값을 적어놓고 주어진 값들을 이용해 만들 수 있는지 보기
- 자료변환 문제는 계산이 간단하다면 하고 읽기형(증감, 순위)으로 먼저 푼다
💡 주어진 자료 밑에 각주도 잘 체크해야함을 느낌.
2. [반도체] 반도체 8대 공정과 3대 주요 공정의 개요
SELF ASSESSMENT : 반도체 공정 전반에 대해 설명하시오.
반도체 공정은 크게 8대 공정으로 나눌 수 있습니다.
(Wafer - 산화 - 포토 - 에칭 - 박막 증착 및 이온주입 - 금속배선 - EDS - 패키징)
먼저, czochralski 방법 또는 floating zone 방법으로 만든 ingot을 잘라 wafer를 만듭니다.
이후 Wafer 표면을 산화시켜 SiO2의 산화막을 만듭니다. 이 때, 산화방법에는 Thermal Oxidation, CVD, PVD 등이 있습니다.
다음은 포토공정으로, Wafer 표면에 PR을 도포후 포토마스크를 걸쳐 노광 후 현상 단계를 거쳐 패턴을 형성시킵니다.
에칭공정에서는 PR이 도포되지 않은 부분을 습식 또는 건식 식각 시켜 기판의 불필요한 부분을 제거합니다. 이 때 에칭의 주요 인자로 Uniformity, etch rate, etch selectivity가 있습니다.
에칭 공정 후 박막을 CVD, PVD를 통해 증착시킵니다. 에칭 공정의 주요 인자로는 화학적, 전기적, 기계적 특성, 그리고 박막 두께의 균일도 등이 있습니다.
이후에는 반도체에 전기전도도를 주기 위해 불순물, 즉 이온을 주입시키고 금속 배선을 깔아줍니다.
마지막으로 EDS를 거쳐 수리가 가능한 부분은 양품으로 만들고 불가능한 부분은 불량 판전을 한 뒤 패키징을 거쳐 반도체를 최종적으로 완성하게 됩니다.
✍️ 면접 질문 기출 : 반도체 공정 정반에 대한 설명 , yield 개선 시킬 수 있는 방법
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