1. 수리논리 실전모의고사 2회 (1)
- 응용 계산 문제
* 일률은 시간에 대해 식을 세우자
- 자료 해석 문제
* %자료의 차이는 %p! (차이를 %라고 표현하면 틀린 선택지)
* 큰 자료의 비율은 간단하게 만들자
예) 2833 : 2822 → 28 : 22 = 14 : 11
* % 증감은 복잡해서 나중에 풀기도 하지만, 1%와 10%는 간단하니 먼저 계산해도 무방함
* 비율계산 분모 기준으로 비교해서 풀자
예)
💡 1회차보다 풀 수 있는 문제수가 늘어 뿌듯했다. 그래도 역시 아직 시간 줄이기는 어렵다. 특히 계산을 너무 정확하게 하려하다 보니(특히 비율) 시간이 오래 걸린다. 간단히 풀어내는 데 노력을 들여야겠다.
2. 반도체 8대 공정 : 공정 흐름에 따른 MOSFET 제작 과정
8대 공정 예상 기출 문제
- 반도체 공정에 대해 설명하시오.
- 8대 공정에 대해 설명하시오.
반도체 공정에는 다음과 같이 8대 공정과 추가적으로 CMP강 있습니다.
첫번째로 single crystal Si Wafer를 제조합니다. ( + 녹아 있는 Si에 single Si seed를 넣고 천천히 돌리며 들어 올려 single Si ingot을 만드는 Czochralski 방법과 single Si seed 필요 없이 poly Si을 녹인 후 재결정시켜 single Si를 만드는 Floating zone 방법이 있습니다. 생산성은 Cz가 Fz보다 높지만 품질은 Fz가 높아 고품질의 Si Wafer를 필요로 하는 공정에는 Fz가 쓰입니다.)
두번째로 Si Wafer 위에 oxide층을 형성시켜줍니다. 산소를 사용하는 Dry oxidation과 물을 사용하는 Wet oxidation이 있으며 속도는 Wet이 빠르지만 품질은 Dry가 좋습니다. ( + Wet oxidation이 속도가 빠른 이유는 oxide층이 어느정도 형성된 후에는 Si wafer 쪽으로 다가가기 위해 oxide층 내부에서 diffusion 되어야 하는데 그 속도가 H2O가 O2보다 빠르기 때문에 oxidation 속도가 빠릅니다.)
세번째로 Photo 공정입니다. oxide층에 PR을 바른 후 Mask를 통해 노광 및 현상을 거쳐 wafer 위에 패턴을 그려주는 공정입니다. 이 때 PR은 wafer와의 접착성, 열 및 화학적 안정성, 제거 용이성이 좋아야 합니다. Photo공정에서 중요한 요소는 DOF와 resolution이 있습니다. ( + DOF는 Depth Of Focus로 Focus가 잘 맞는 영역, 즉 위아래로 focus가 어느정도 일정한 범위를 말합니다. resolution은 해상도로 공정이 미세화됨에 따라 resolution이 좋아야 wafer 표면에 미세한 패턴을 그릴 수 있습니다.)
네번째로 Etching 공정으로 그려진 패턴대로 불필요한 부분을 제거하는 공정입니다. 기체나 plasma를 이용하는 Dry Etching, 화학적 용액을 사용하는 Wet Etching이 있습니다. ( + Wet etching은 빠르고 selectivity가 높다는 장점이 있지만 isotropic하게 에칭되고, 홈 사이 거리가 좁을 때는 표면장력에 의해 액체가 침투하지 못한다는 단점도 있습니다. 따라서 최근 미세회로에는 Wet etching보다 대부분 Dry etching을 사용하고 있습니다.)
다섯번째는 Thin film deposition 및 Ion implantation 공정입니다. Thin film deposition은 두께가 마이크로미터 단위 이하의 얇은 막을 증착시키는 공정으로 화학적 방법으로 증착시키는 CVD와 물리적인 방법의 PVD가 있습니다. Ion Implantation은 불순물인 이온을 원하는 양만큼 원하는 위치에 주입시키는 공정입니다. ( + Ion implantation의 단점으로 Si 표면이 손상될 수 있다는 점이 있습니다. 이는 1000℃ 이상의 온도를 가하는 열처리를 통해 제거할 수 있습니다. 또, 원치 않게 이온이 깊숙이 주입될 수 도 있다는 점이 있습니다. 이는 oxide층을 미리 깔아 두거나, 이온을 미리 주입켜두거나, 혹은 주입 각도를 tilt 시키는 방법으로 해결 할 수 있습니다.)
여섯번째로 Metallizaiton 공정입니다. 전류가 흐를 수 있도록 금속 배선을 만드는 공정입니다.
일곱번쨰로 EDS 또는 Test 공정입니다. Wafer level에서 검사를 하며 repair 가능 여부를 판단 후 가능하다면 repair 후 양품으로 만들고, 불가능하다면 inking을 통해 불량으로 판정합니다. 이 때 Yield, 즉 수율이 중요한데 이는 정상적으로 생산되 chip 수 / 설계 최대 chip 수 X 100 (%)로 계산합니다.
마지막으로 Packing 공정입니다. 완성된 반도체 소자를 포장합니다.
✍️ 반도체 8대 공정이 면접 질문으로 나왔을 때는 모든 내용을 디테일하게 한 번에 설명할 수는 없다. 먼저 대략적으로 설명 후 자세한 내용은 면접관의 질문에 대해 답을 하며 덧붙이자.
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