해커스 GSAT+반도체강의 5일차 (1주차를 마무리하며~~~)
오늘 먼저 시작한 것은 지훈쌤 추리 파트 강의였습니다.
뒷파트는 오답률도 적었고 도형추리부터는 자신있는 파트여서 빠르게 강의를 수강했습니다.
지훈쌤 강의를 통해
언어추리 문제를 풀때 기호 정리 (저는 문제 풀때 기호 사용보다 글자를 적어서 시간 단축이 힘들었습니다.)
논리추리 문제에서 두개의 지문 등장할때 두개의 지문을 섞은 틀린 보기를 찾아내는 법도 배웠습니다.
동민쌤 반도체 강의를 수강했습니다.
5일차 강의는 반도체의 꽃 MOSFET 에 대해 배웠습니다.
진짜 동민쌤 강의가 가장 좋은 이유는 핵심만 잘 정리된 PDF 파일을 제공한다는 점.
강의 분량도 그리고 학습지 분량도 길지 않아 실제 면접 준비 시즌에도 잘 활용할 수 있을 것 같습니다.
오늘은
1. MOSFET 구조와 동작원리
2. MOSFET degradation
3. S.C.E (Short Channel Effect)
4. HKMG(high-k metal gate)
5. FinFET
6. MOSCAP
이렇게 전반적인 반도체 소자에 대한 내용을 다 배울 수 있었던 것 같습니다.
2. 까지 잘 이해하며 듣다가 3. short channel effect 부터는 어려워 동민쌤 강의를 받아쓰며 이해를 하려고 노력했습니다.
S.C.E 는 공정 미세화 즉 공정 집적화에 의해 어쩔 수 없이 발생하는 문제입니다.
short channel effect로 vt roll off, hot carrier effect, DIBL, punch-through에 대해 배우고 정리할 수 있었습니다.
동민쌤 강의를 최대한 이해하면서 들으려 노력했지만 아무래도 주말동안 MOSFET 파트는 스스로 답안을 정리하고
공부하는 시간이 필요할 것 같습니다.
hot carrier effect 부터는 기존에 제가 알고 있는 개념인 impact ionization과 무슨 차이가 있는지 궁금하였고
파트 2 degradation에서는 trap은 vt 증가와 gm 감소로 특성의 degradation을 이해했으나
TDDB 같은 경우는 tunneling에 의해 current 가 증가할 것 같은데 이게 특성의 degradation인지,
아니면 tunneling에 의해 원하는 결과가 나오지 않아 특성 degradation인지,
current가 증가하는 것이 아닌데 제가 잘못 이해한 것인지 궁금해 동민쌤 질문 게시판 이용하여 질문을 할 계획입니다.
이번주 해커스 GSAT+ 반도체 강의를 5일차까지 수강하였고
주말에 반도체 강의 면접 질문 및 답변 정리할 계획입니다~~
1주차 정리하고 2주차도 다 함께 취뽀까지 힘내자구요~~~
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