[GSAT]
전반적으로 이전에 듣던 강의와 동일한 내용이었습니다.
1번 응용수리 문제의 경우, 경우의 수를 고려하는 과정에서 강의에서처럼 모든 경우를 고려하는 것 보단, 상관 없는 경우를 배제하는 것이더 효율적인 것 같습니다. 대리와 여자 사원이 어떤 팀에 배정되든 간에, 부장이 어떤 직급과 같은 팀을 이루는 지만 고려하는 것이 시간 단축에 도움이 되었습니다.
자료해석 문제는 특히 빠르게 쉬운 문항부터 솎아내는 것이 중요한 것을 더 느꼈습니다. 증감추이/순위의 문제가 가장 쉽게 찾을 수 있고, 단순 차이가 그 다음 순서인 것 같습니다. 복잡한 숫자의 곱하기, 나누기는 최후순위 입니다. 하지만 10%, 20%, 1%와 같은 간단한 값들은 빨리 계산할 수 있어서 넘어가지 않는 게 좋을 것 같습니다.
8번 문제에서 문항 c가 생략도 안되고 계산에 오래 걸렸습니다. 하지만 강의에서와 같이 가중 평균으로 푸니 보다 빠르게, 복잡한 계산 없이 답을 구할 수 있었습니다. 가중평균이 많이 유용한 것 같습니다.
[반도체]
8대 공정에 관해 대략적으로 배웠습니다.
1. 웨이퍼 생산
-chzochralski: 생산량 좋아서 주요 사용
-floating zone: 순도 높은 웨이퍼 생산 가능
2. oxidation: 산화박막층 생성
-wet oxidation: H2O 사용. Si wafer로 확산 속도가 빨라, 공정 속도가 빠름
-dry oxidation: O2 사용. 확산 속도가 느려서 공정 속도 느림. 하지만 품질이 더 좋음
3. photolithography : photo mask patterning
4. etching: 불필요한 부분 제거
wet etching은 표면장력 때문에 정확도가 낮음
5. deposition
얇은 막 형성. ion implantation의 경우 밀도를 조절하여 주입 가능함. 하지만 wafer 격자구조가 파괴되므로 후에 고온에서 재결정화 시켜야 함
6. metalization: 전기 배선
7. EDS(test): wafer level에서 검사하고, repair 가능 여부를 판단하여 가능 시 repair
8. packaging: 소자 포장
+) CMP: wafer 표면의 박막 평탄화 (photoresist 제거)
이전 강의와 겹치는 내용이 많았습니다. 그만큼 기본적이고 중요한 부분이라고 생각하여, 놓친 부분은 없는지 좀 더 꼼꼼히 들었던 것 같습니다. 이후 공정에 대해 더 세부적으로 배우며 머리속에 개념을 체계적으로 형성하고 싶습니다.
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