반도체 8대 공정은 웨이퍼 제조 , 산화, 포토 공정, 식각공정, 박막 증착 및 이온주입 공정, 금속배선 공정, 테스트 공정 , 패키징 공정으로 이루어지고 추가적으로 cmp공정이 이루어진다.
웨이퍼 제조는 실리콘을 재료로 ingot을 제조해서 만든다.
산화공정은 실리콘에서 산화막을 형성하며 건식산화와 습식산화 방법이 있다.
포토공정은 웨이퍼 표면에 패턴을 형성하는 공정으로 포토레지스트 코팅, 소프트 베이킹, 포토마스크 정렬, 노광, 노광 후 베이킹, 현상 하드베이킹, 검사 순으로 이루어진다.
식가 공정은 기판상의 불필요한 부분을 제거하는 공정으로 습식 식각과 건식 식각이 존재하며 주요 인자는 균일도와 식각 속도, 식각 선택비가 존재한다.
박막증착은 얆은 막을 형성하는 공정으로 화학적 박막 증착과 물리적 박막 증착 방법이 존재하며 주요 인자로는 화학적, 전기적 기계적 특성, 두께의 균일성 step coverage, aspect ratio, filing이 존재한다.
이온주입 공정은 불순물을 주입하는 공정이다
금속 배선 고정은 회로 패턴을 따라 전기를 배선하는 작업이다.
그후 검사와 패키징 공정이 이루어지고 cmp공정을 통해 중간 중간 후속 공정의 편의를 위해 표면을 평탄하게 만들어주는 공정을 해준다.
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