포토리소그래피 공정 순서는 포토레지스트 코팅, 소프트베이크, 포토 마스크 정렬, 노광, 노광 후 베이킹, 현상, 하드 베이크으로 이루어져있다.
포토레지스트란 빛을 받으면 화학적 구조가 변하는 고분자 물질으로 레진, 솔벤트, 감광 성분으로 구성되어있다.
포토레지스트 코팅에서 포토레지스트의 주요 인자는 웨이퍼와 접착성, 에칭 저항성, 적당한 점도, 현상 능력, 열적 안정성, 제거의 용이성이 있다. 코팅 방법은 HMDS 증기에 노출해서 포토레지스트와 웨이퍼의 접착력을 향상시킨다. 그 후 스핀 코팅을 이용해 PR에 도포한다.
소프트 베이크는 PR에 포함된 솔벤트를 제거하고 웨이퍼와이 접착성 향상시키고 스핀 코팅 중 형성된 스트레스를 제거시킨다.
포토 마스크 정렬을 지나 노광을 하는데 노광은 접촉노광 근접노광, 투사 노광으로 이루어진다. 광원의 주요인자로써 DOF, resolution이 있다. DOF는 클수록 공정에 유리하고 , res는 작을 수록 유리하다.
노광 후 베이킹은 포토레지스트 표면을 평탄화 시키는 목적이다.
현상은 현상액을 뿌려 노출된 부분과 되지 않은 부분을 선택적으로 제거하는 공정이다.
하드 베이킹은 현상액 등을 제거해서 접착성을 증가시킨다.
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