¹ÝµµÃ¼ °ÀǸ¦ Á¤¸®Çϸé
1.energy band ¼³¸í
-ÆĿ︮ ¹èŸ ¿ø¸®: °°Àº ¿¡³ÊÁö ÁØÀ§¸¦ °¡Áö´Â ÀüÀÚ°¡ Á¸ÀçÇÏÁö ¾Ê´Â´Ù .
-energy band Çü¼º¿ø¸®
¿øÀÚ°¡ °¡±î¿ö Áú¼ö·Ï ÃÖ¿Ü°¢ ²®ÁúÀÌ °ãÃÄÁö¸é¼(¿À¹ö·¦ Çö»ó) ¿¡³ÊÁö ÁØÀ§°¡ °ãÃÄÁö°ÔµÇ°í
°ãÃÄÁø ÁØÀ§´Â ÆĿ︮ ¹èŸ ¿ø¸®¿¡ ÀÇÇØ µ¿ÀÏÇÑ ÀÏÁ÷¼±»ó¿¡ Á¸ÀçÇÒ¼ö ¾ø¾î °¡±î¿î µÎÁÙ·Î Á¸Àç
-band gap Çü¼º¿ø¸®
½Ç¸®ÄÜÀ» ±âÁØÀ¸·ÎÇÏ¿© 3p orbital°ú 3s orbital ·Î ³ª´²Áö´Âµ¥ 3s¿¡¼´Â ÀüÀÚ 2°³°¡ Á¸ÀçÇÏ°í 3p¿¡¼´Â ÀüÀÚ 2°³¿Í ½ºÅ×ÀÌÆ® 4°³°¡ Á¸ÀçÇÑ´Ù. ¿øÀÚ°£ °Å¸®°¡ °¡±î¿öÁö¸é 3p orbital°ú 3s orbital ÀÌ ¿À¹ö·¦µÇ°í ÀüÀÚ¿Í ½ºÅ×ÀÌÆ®°£¿¡ ¿¡³ÊÁö ÁØÀ§°¡ ³ª´²Á® ÀüÀÚ·Î °¡µæÂù(valance band)¿Í ½ºÅ×ÀÌÆ®°¡µæÂù(conduction band)»ý°Ü ³ª´²Áö°ÔµÇ´Âµ¥ ±×»çÀÌ ÀüÀÚµéÀÌ ¾ÈÀüÀûÀ¸·Î Á¸ÀçÇÒ ¼ö ¾ø´Â °ø°£ÀÌ »ý±ä´Ù.
2. µµÃ¼¿Í ¹ÝµµÃ¼ , ºÎµµÃ¼ÀÇ µµÇΰ¡´É ¿©ºÎ
3. fermi level ¼³¸í
-enectron(ÀüÀÚ)¸¦ ¹ß°ßÇÒ È®·ü 1/2(50%) ÀÌ µÇ´Â °¡»óÀÇ energy level
-fermi level ¾Æ·¡ÂÊ¿¡ ÀüÀÚ°¡ Á¸ÀçÇÒ È®·ü 100%
À§ÂÊ¿¡ ÀüÀÚ°¡ Á¸ÀçÇÒ È®·ü 0%
-fermi level dirac distribution fffunction °ø½Ä
4. p-n junction ¼³¸í
-depletion layer ¼³¸í
majority carrier »ç¶óÁø °øÇÌÃþ
-depletion layer Çü¼º¿ø¸®
p-type ¹ÝµµÃ¼¿Í n-type ¹ÝµµÃ¼°¡ junction(Á¢ÇÕ)ÇØ majority carrier ÀÇ ³óµµÂ÷ÀÌ¿¡ ÀÇÇØ n-type¿¡¼´Â ÀüÀÚ°¡ p-type¿¡¼´Â hole(+)°¡ ¹Ý´ë¹æÇâÀ¸·Î diffustion µÇ¾î ³Ñ¾î°£´Ù. À̶§ °¢°¢ÀÇ majority carrier°¡ ³Ñ¾î°¡¸é¼ ³²°Ü³õÀº charge¿¡ ÀÇÇØ e-field°¡ Çü¼ºµÇ°í e-field¿¡ ÀÇÇÑ À̵¿°ú diffustion¿¡ ÀÇÇÑ À̵¿ÀÌ ÆòÇàÀ¸ À̷궧 depletion layer ÀÇ width °¡ °áÁ¤
-built in voltage =Vb
diffustionÀ» ÅëÇØ ³Ñ¾î°¡´Â ÀüÀÚÀÇ À庮À¸·Î ÀÌ¿ë
ÀÌ·¸°Ô Á¤¸®°¡ µË´Ï´Ù. ¿À´Ã ¹ÝµµÃ¼ °ÀÇ´Â 1,2,3ÀÏÂ÷ °ÀǺ¸´Ù ¾î·Á¿üÁö¸¸ ±èµ¿¹Î¼±»ý´Ô²²¼ ÇϳªÇϳª ²Ä²ÄÇÏ°Ô ¾Ë·ÁÁÖ½Ã°í ¸éÁ¢½Ã ¿¹»óµÇ´Â Áú¹®µµ ¾Ë·ÁÁּż µµ¿òÀÌ µÇ¾ú½À´Ï´Ù.