시작은 실전모의고사 2회 복지훈 선생님의 추리 인강이였습니다. 삼단논법문제는 1회차에서 알려주신 벤다이어그램을
이용해서 푸는 법을 사용하였고 3번문제 같은 경우는 주연,부주연 공식을 이용하여 풀어서 1,2,3번문제를 빠르게 풀수 있었습니다. 4번문제 부터는 속성연결하기 문제로 보기에 나온 조건을 미리만들어 놓은 표에 적으면서 문제를 푸니 실수없이 답을 찾을수있었습니다.
반도체 강의는 etching 공정에 대해 세부적으로 알려주셨습니다.
저번 8대 공정 강의에서 etching은 불필요한 부분을 제거하는 공정이라고 알려주셨습니다.
이번 강의에서는 etching과 plasma 대해 설명해셨습니다.
etching은 불필요한 것을 제거하는 공저인데 식각이라고 불리고 주요인자는 식각률,선택비,균일도, 방향성이 있었습니다.
etching은 wet방법과 dry방법이 있는데
wet 방법은 chemical방식이며 비용이 적게 들고 속도가 빠르며 선택비가 높다 는 장점이 있고
단점은 isotropy하고 표면장력에 의해서 작은 미세 패턴의 에칭이 불가능하며 오염이 될 가능성이 있습니다.
dry 방법은 chemical방식과 physic 방식 , chemical방식과 physic 방식 합쳐진 방식 이있습니다.
dry 방법의 장점은 anisotropy하고 미세 페턴 에칭이 가능합니다.
단점은 비용이 많이 들고 속도가 느리며 선택비가 낮습니다.
plasma는 제 4의 물질로 기체 상태의 분자난 원자가 이온화 되어 양이온과 전자가 혼재되어 있어서 부분적으로는 극성을 띄지만, 전체적으로는 중성상태인 물질(기체 상태지만, 이온과 전자에 의해 전도체 성질을 가진다)이 였습니다.
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