오늘 강의 시작은 9일차에 다끝내지 못했던 실전모의 고사 2회차 (추리) 11번 문제부터 풀이였습니다.
11번 문제 부터는 실전모의 고사 1회차와 비슷한 문제 방식으로 되어 있어 실전모의 고사 1회차 문제를 풀때 보다 더빠르게 풀수있었습니다.
반도체강의는 memory 반도체에 대한 강의 였습니다.
내용에는 Flash memory 구조와 동작, NAND Flash memory의 구동원리,RAM에 대한 것이 있었습니다.
Flash memory 구조는 MOSFET의 구조와 전반적으로 비슷하지만 gate의 sio2위에 새로 floating gate/charge trap과 또다른 sio2 층이 삽입되어있는 구조입니다.
NAND Flash memory의 구동원리는 write와 erase,read로 나누어지고
write는 control gate에 고 전압 인가하면 fliating gate 또는 charge trap layer에 electrons 축적됩니다.
erase는 write반대로 control gate에 -의 고 전압을 걸게 되면 기존에 축적되어있던 electrons 들이 배출되면서 지워집니다.
read는 mosfet 소자의 vth를 확인하는것으로 floating gate나 charge trap layer에 electron들에 의한 vth변화하게 됩니다.
RAM에서는 DRAM의 write,read,erase 에따라 구동원리를 그림과 그래프를 통해 설명해주셨고
차세대 ram에대서도 알려주셨습니다. 차세대ram 종류로는 pcRAM, STT-MRAM, RRAM이 있고 pcRAM원리는 전류에 의한 phase tramsformation을 이용하는것이고 STT-MRAM은 자기장의 방향과 전자의 spin 방향을 이용하는것이며
RRAM은 ceramic과 같은 부도체의 defect를 이용한 것이였습니다.
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