반도체 수업은 반도체 8대 공정과 3대 주요 공정에대해 공부 했습니다. 8대 공정의 순서는 wafer 제조 -> 산화 -> 포토공정 -> etching -> 박막증착 -> 이온주입 ->금속배선 ->EDS -> packaging 였습니다. wafer 제조는 Ingot 제조,Ingot 절단 이 주내용이고 Ingot 제조방법이 나와있었습니다. Ingot 제조방법은 czochralski method와 Floating zone method가 있었습니다.
czochralski method는 singlr crystal을 이용하여 Ingot 제조하는방법이고 Floating zone method는 열처리가능한 히터를 이용하여 덩어리로된 실리콘을 녹여 Ingot 제조하는 방법이라고 알려주셨습니다. Floating zone method는 고순도의 실리콘을 얻을 수 있지만 czochralski method보다 생산성이 떨어져 현장에서는 czochralski method를 주로 사용한다고 배웠습니다. 다음으로 산화공정은 wafer에 산소(O2)를 이용해 산화막을 형성하게 하는 작업이였습니다.
그다음공정은 photolithography(포토공정) 이였습니다. 포토공정은 wafer위 산화막이 형성된 곳 위에 포토레지스트 액체를 이용하여 얇게 코팅하고 그위 도면을 올린후 빛을 투과시켜 빛받은 부분 성질을 변화 시키는 과정이였습니다.
김동민 선생님은 photolithography(포토공정)이 3대주요공정 중 하나라고 말해주셨습니다.
다음 공정은 etching(식각)이였습니다. etching(식각)은 기판에 불피요한 부분을 제거하는것이였습니다. 주로사용되는 방법은 wet etching과, dry etching이 였습니다. 다음 공정은 박막증착 공정과 이온 주입 공정이였습니다. 박막 증착은 식각 작업이 끝난 wafer에 얇은 막을ㄹ 형성하는 단계이며 CVD, PVD를 주로 사용한다고 하셨습니다. 이온주입은 불순물을 주입하는 공정이고 주입하는 불순물로 반도체 성질을 제어한다고 알려주셨습니다. 박막증착과 이온주입 공정은 3대 주요 공정 이였습니다.그 다음 공정은 금속배선으로 전기 배선작업을 하는것이고 배선작업이 끝난후 테스트를 거치고 포장 작업을 마치면 8대 공정이 끝난다고하셨습니다. 이때 각 공정 중간중간마다 CMP(연마)공정을 한다고 말해주셨습니다. 이렇게 8대 공정 인강을 듣고나니 처음듣는 내용이라 어려웠지만 김동민선생님이 간단하게 정리해주셔서 이해 하기 쉬웠습니다. 이렇게 쉽게 반도체를 배우니 앞으로의 수업도 기대가 됩니다.
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