오늘은 수리논리영역 실전모의고사 2회(1)강의와 반도체 8대 공정: 공정흐름에 따른 MOSFET 제작 과정 강의를 수강하였습니다.
[실전모의고사]
오늘은 다시 수리논리영역으로 돌아와 문제를 풀고 강의를 들었습니다. 인적성 모의고사의 경우 저번주 강의와 큰 차이가 없었던 것 같습니다. 저번주에 배웠었던 가중평균을 이용해 문제를 푸는 법을 다시 배울 수 있었습니다.
[반도체]
반도체 수업에서는 공정흐름에 따루 MOSFET 제작과정에 대해 배울 수 있었습니다. 반도체 8대 공정의 순서는 다음과 같습니다.
1. Wafer 제조
2. Oxidation
3. Photo 공정
4. Etching 공정
5. Deposition & Ion 주입
6. Metalization
7. EDS
8. Packaging
+ CMP
위 과정 중 중요한 공정은 Photo 공정과 Deposition & Ion 주입 공정입니다.
공정 중 Ion 주입에는 단점이 존재하는데, 먼저 실리콘 웨이퍼의 표면이 손상될 수 있습니다. 이는 높은온도에서의 열처리를 통하여 제거할 수 있습니다. 다음으로 실리콘이 반듯한 격자구조를 가지고 있기 때문에 Ion 주입 시 원치 않는 깊이까지 주입이 될 수 있습니다. 이를 방지하기 위한 방법으로 실리콘 위에 Oxide를 미리 깔아두거나 실리콘 원자에 이온을 미리 쏴서 넣어두거나 이온을 주입하는 각도를 조금 틀어주는 방법이 있는 것을 알 수 있었습니다.
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