[실전모의고사]
오늘 강의는 수리논리 영역의 마지막 강의 였습니다. 지금까지의 강의한 풀이 방법이 크게 차이가 없었지만, 조금씩 풀어본 경험이 늘어나서 그런지 문제를 푸는 속도가 늘 수 있었던 것 같습니다. 수리논리영역은 추리 영역에 비하여 문제 길이도 긴 편이고, 풀이 시간도 오래 걸렸는데, 지금까지 선생님께서 알려주신 팁을 이용해 계속 연습한다면 점점 실력을 늘릴 수 있을 것이라고 생각합니다.
[반도체]
오늘 반도체 강의에서는 Deposition 공정에 대해 배웠습니다. Deposition 공정은 박막을 형성하는 공정입니다. Deposition 공정은 PVD와 CVD로 구분할 수 있는데, PVD는 Thermal evaporation과 Sputtering이 이있습니다. 기본적으로 PVD 방식은 공정이 단순하고, 여러가지 물질을 사용할 수 있다는 장점이 있지만, Step coverage가 낮다는 단점이 있습니다. Thermal evaporation의 경우, 가열방식에 따라 여러 종류로 나누어지지만 공정이 단순하고, 여러물질을 사용 가능하다는 장점이 존재하며, Sputtering 방식은 물리적으로 Deposition을 진행하는 방식으로 거의 사용하는 물질에 제한이 없고 Thin film의 두께를 조절하기 용이하다는 장점이 있지만 뒷판에 손상이 갈 수 있다는 단점이 있습니다.
다음으로 CVD 방법에는 AP, LP, PE, HDP, ALD 방식이 있습니다. 전체적으로 Step coverage가 좋다는 장점이 있지만, 공정이 복잡하여 설비 또한 복잡하다는 단점이 있습니다. AP, LP, PE의 분자 하나당 박막형성속도는 LPCVD가 가장 높으며, APCVD가 가장 낮습니다. 그래프 상에서 PECVD의 기울기가 다른 이유는 PVCVD는 플라즈마를 사용하여 저온에서 속도가 더 빠르게 증가하기 때문입니다. HDPCVD는 고밀도 플라즈마를 사용하기 때문에 PVCVD보다 더 낮은 온도에서 박막형성이 가능하다는 것과 Sputtering과 Deposition을 번갈아 반복하기 때문에 품질이 좋다는 장점이 있습니다. 하지만 Sputtering으로 인해 속도가 느리다는 단점을 가지고 있습니다. ALDCVD는 원자층을 한 층씩 박막을 형성하는 공정으로 매우 정교하고 얇은 박막을 형성할 수 있지만, 속도가 매우 느리고 사용 가능한 Precursor가 제한적입니다. 또한 ALDCVD는 적정온도를 유지시켜 주어야 하는데 고온에서는 박막이 떨어질 수 있고, 저온에서는 박막형성 속도가 느려지기 때문입니다.
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