[실전 모의고사]
오늘 강의에서는 추리영역의 문제를 풀어보았습니다. 추리영역 역시 저번주와 문제 풀이 방법이 같았기 때문에 새롭게 배운 팁은 없었습니다. 하지만 저번주에 배웠던 풀이방법을 통해 문제를 풀 수 있었습니다.
[반도체]
오늘 반도체 강의에서는 Etching 공정과 플라즈마에 대해 배웠습니다. Etching 공정은 크게 Wet etching과 Dry etching으로 나뉩니다. Wet etching은 화학적 방식을 통한 Etching이고, Dry Etching은 물리적 방식과 화학적 방식, 두 방식을 합친 방식이 모두 존재합니다. Wet etching은 비용이 적고, 빠르며 선택비가 높다는 장점이 있지만, Isotrophy한 특성과 표면장력으로 인해 미세 패턴을 형성할 수 없다는 단점이 있습니다. Dry etching은 Anisotrophy하다는 장점이 있지만, 비용이 크고, 속도가 느리고 선택비가 낮다는 단점이 있습니다. 하지만 RIE의 경우, Sputtering과 Plasma의 장점만 모아두었기 때문에 속도가 빠르고 Anisotropy하며, 선택비가 높다는 장점을 가지고 있습니다.
플라즈마는 기체에 에너지를 가해줄 때 발생되는 제 4의 물질로 부분적으로 극성을 띠고, 전체적으로는 중성을 띠고 있습니다. Quasi neutrality를 가지고 있는 플라즈마는 Glow discharged 방식으로 발생하는데 DC전압을 사용하면 DC 플라즈마, AC전압을 사용하면 AC플라즈마라고 합니다. 일반 플라즈마와 전압의 관계는 파셴곡선을 통하여 전압이 너무 낮거나 높으면 필요한 전압은 모두 높다는 것을 알 수 있었습니다.
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