[실전모의고사]
오늘은 추리영역의 마지막 강의였습니다. 지금까지 강의를 들으며, 선생님의 풀이법을 통해 문제를 푸는 속도를 줄이고, 더 쉽게 풀 수 있는 팁을 알 수 있어 좋았습니다.
[반도체]
오늘 반도체 강의에서는 Memory 반도체에 대해 공부하였습니다. 먼저 NAND flash memory의 발전 사항 중 하나인 3D NAND에 대해 배웠습니다. NAND flash memory는 Floating gate에서 Charge trap layer로 자기장 영역을 최소화하기 위해 변화하는 첫번째 발전양상입니다. 두번째로는 직접도 향상을 위한 기술로 SLC, MLC, TLC, QLC 순으로 바뀌는 양상을 가지고 있습니다. 세번째로는 기존 웨이퍼 위에 수평방향으로 만들어내던 NAND flash memory를 수직방향으로 만든 3D NAND flash memory가 있습니다.
차세대 RAM에는 PcRAM, STT-RAM, RRAM이 있습니다. PcRAM은 상변화를 이용하는데, Amorphous 상태에서는 저항이 높고 Crystalline 상태에서는 저항이 낮기 때문에 0과 1을 구별할 수 있습니다. STT-RAM은 전자의 스핀방향과 자기장의 방향에 따라 전자가 통과할 수 있는지에 대한 특성을 가지고 저항이 높고 낮음을 구현해 내는 차세대 RAM입니다. 자기장을 조절하는 방식에 따라 STT-RAM과 MRAM으로 구분됩니다. 마지막으로 RRAM은 기본적으로 부도체를 사용하는데, 부도체 안에 있는 Defect의 정렬을 통해서 전기가 흐르게 되는 경우 저항이 낮아지게 되고, 전기가 흐르지 않게 되면 저항이 높아지게 되는 것을 이용하는 RAM입니다.
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