빡센 스터디 8일차에서는 나머지 문제들에 대해 배웠습니다.
다중 지문 문제에서 대수를 비교하는 지문이 출제되었습니다. a 지문을 풀지 않아도 되는 문제라서 넘어갔지만, 강의에서 처음 보는 대수 비교 방법이라 기억에 남았었습니다.
분자와 분모의 각 숫자를 빼서 나온 수와 비교하는 방법인데 실전에서 비교 대상의 차이가 크게 나지 않을 때 사용하면 유용할 거 같습니다.
그리고 18번과 같은 계산 문제는 1의 자리 숫자만 비교해도 충분한 문제였는데 답을 구하는데 정신이 팔려서 미처 생각하지 못했었습니다. 앞으로 문제를 보는 시각을 넓혀야 할 거 같습니다.
반도체 강의에서는 박막 공정에 대해 학습했습니다.
박막 공정은 원하는 얇은 필름을 형성하며 웨이퍼 내부와 웨이퍼 간의 안정성이 필요로 합니다. 박막 공정에서 가장 핵심 단어인 step coverage와 Mean free path가 있는데 고진공 상태에서 Mean free path가 증가하여 step coverage가 우수한 상태가 될 수 있음을 배웠습니다.
방법에 따른 분류로 PVD와 CVD가 있습니다.
PVD는 높은 진공에서 전기 광선이나 열로 하는 T*E와 물리적 충돌로 박막을 형성하는 스퍼터링 공정이 있습니다. 이 둘은 단순한 공정이며 여러 물질로 사용 가능하다는 장점이 있지만 낮은 step coverage라는 단점이 존재합니다.
CVD는 상압, 저온인 AP CVD, 저압 고온인 LP CVD, 플라즈마를 사용하는 PE CVD, 스퍼터링과 증착이 동시에 작용하는 HDP CVD, 원자층 한 층씩 반응하는 ALD가 있습니다. 주로 좋은 step coverage를 가지고 있지만, 변수가 많고 복잡하다는 단점이 존재합니다.
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