빡센 스터디 9일차로 접어들면서 추리 2회차 문제 풀이를 했습니다
전제와 결론 문제는 시간을 단축해야 뒤에 나오는 추론 문제에서 이득이 많이 볼 수 있으므로 빠르게 푸는 게 핵심이었습니다. 비교적 문제가 쉬운 1번 문제는 글로 써서 풀고 2, 3 번 문제의 경우 벤다이어그램으로 빠르게 푸는 연습을 하는 게 좋을 거 같습니다.
5번 추론 문제의 경우 시간을 많이 잡아먹었습니다.
6명의 인원을 순서대로 배치해야 하고 소속별로도 나눠야 해서 복잡하다고 느꼈었습니다.
하지만 강의에서 풀이해주셨던 기호 표시 방법을 사용해 풀어보니 주어진 조건을 혼란 없이 해결할 수 있었습니다.
이번 반도체 강의에서는 에칭에 대해 배울 수 있었습니다,
에칭의 주요 인자로는 식각율, 선택비, 균일도, 방향성이 있으며 이러한 특징들로 wet etching과 dry etching의 장*단점을 구별할 수 있었습니다.
wet etching은 대기에서 화학물질을 사용하는 방법으로 빠른 속도와 높은 선택비를 가지고 있지만, 미세화가 어렵고 오염 발생 위험이 있습니다.
dry etching은 진공에서 물리적+화학적 방법을 사용하며 미세 패턴이 가능하고 원하는 방향으로 에칭이 가능하다는 장점이 있으나 속도가 느리고 낮은 선택비를 가지고 있다는 단점이 있습니다. 종류로는 스퍼터링, 플라즈마, RIE 가 있습니다.
플라즈마는 기체 상태에서 에너지를 주어 양성자, 중성자, 전자, 이온이 섞여 있는 상태이며 양극판에 전압을 가해 형성합니다. 파셴곡선을 통해 전압과 압력의 상관관계를 배울 수 있었습니다. 종류로는 AC, DC 가 있으며 AC의 경우 이온과 전자 손실이 적어 고밀도 플라즈마가 가능하며 낮은 압력에서도 반응하고 이온 효율이 향상합니다.
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