빡센 스터디 10차에서 추론, 도형, 기호, 문장 문제에 대해 풀이했습니다.
17번의 도형 문제는 도형이 회전하면서 색 반전이 일어나기 때문에 복잡한 문제 중 하나였습니다.
문제 풀이에서 도형의 색을 0과 1로 표기하여 설명해주셨는데 머리로 생각하면서 푸는 것보다 훨씬 간편하고 헷갈리지 않아 나중에 적용하면 좋을 거라고 생각이 듭니다.
그리고 26번 문장 문제에서 다른 문제와 달리 평소에 접하지 못하는 내용이라서 어려운 감이 있었습니다. 유아기에서 발생하는 독립적 개체성의 발전 단계인데 이런 문제가 나오면 위의 사진과 같이 시간이 좀 걸리더라도 요약을 해야 오답률이 내려갈 거 같습니다.
이번 반도체 강의에서는 Memory에 대해 배웠습니다.
Flash memory의 구조는 floating gate에서 charge trap layer로 바뀌었으며 이로 인해 외부 자기장에 대한 안전성이 확보되었습니다.
쓰기 상태에서는 전압이 인가되고 charge trap에 전하가 축적되며 읽기 상태에서는 축적된 전하의 V 차이를 통해 작동됩니다.
Nand Flash Memory의 발전은 floating에서 charge trap으로 바뀌었고 SLC MLC TLC QLC로 바뀌면서 집적도가 증가했으나 신뢰성과 수명이 감소하는 문제가 발생하였습니다. 최근에는 3D로 제작하면서 집적도가 향상되었습니다.
RAM의 구조로는 BL과 WL이 있고 사이에 커패시터가 있는 구조입니다.
차세대 RAM으로 전류에 의한 온도로 저항을 바꾸는 PcRAM과 자기장의 방향과 전자의 스핀 방향을 이용하는
STT-MRAM, 부도체의 결함을 이용하는 RRAM이 있습니다.
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